FET 类型P 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.7V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）600mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）315pF @ 15V
功率耗散（最大值）1.6W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）200 毫欧 @ 1A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装SOT-23-6
封装/外壳SOT-23-6
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs