其它有关文件:STS10DN3LH5 View All Specifications
标准包装:2,500
类别:分立半导体产品
家庭:FET - 阵列
系列:STripFET?? V
包装:带卷(TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):21 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):475pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
其它名称:497-10011-2