包装标准卷带

系列STripFET™

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80A

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）-

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）-

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）60nC @

Vgs（最大值）-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-

FET 功能-

功率耗散（最大值）-

工作温度-

安装类型通孔

供应商器件封装I2PAK（TO-262）

封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA