FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：440pF @ 25V

Vgs（最大值）：±15V

功率耗散（最大值）：1.5W（Ta），48W（Tj）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：440pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V

FET 类型：N 沟道

漏源极电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：20nC @ 5V

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs