系列：MDmesh™

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：5A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：315pF @ 100V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：900 毫欧 @ 2.5A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

封装形式Package：DPAK

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：650V

连续漏极电流ID：5A

Pd-功率耗散：60 W

安装风格：SMD/SMT

封装/外壳：DPAK-3

Ciss-输入电容：315 pF

下降时间：18 ns

最小工作温度：- 55 C

上升时间：6.6 ns

商标名：MDmesh

晶体管极性：N-Channel

典型关闭延迟时间：22.5 ns

Vds-漏源极击穿电压：650 V

Vgs-栅源极击穿电压：25 V

Id-连续漏极电流：5 A

Rds On-漏源导通电阻：900 m0hms

Vgs th-栅源极阈值电压：3 V

Qg-栅极电荷：10 nC

最大工作温度：+ 150 C

无铅情况/RoHs：否