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STD24N06LT4G /MOSFET NFET 60V SPCL TR
STD24N06LT4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:24 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:1.88 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:2.38 mm

长度:6.22 mm

产品:Power MOSFET

系列:NTD24N06L

类型:-

宽度:6.73 mm

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:19 S

下降时间:52 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:97 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:9.4 ns

零件号别名:STD24N06LT4G-VF01

单位重量:4 g

供应商STD24N06LT4G
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