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STD20NF20 /MOSFET Low charge STripFET
STD20NF20的规格信息
STD20NF20的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:125 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:90 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:STripFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.4 mm

长度:6.6 mm

系列:STD20NF20

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.2 mm

商标:STMicroelectronics

正向跨导 - 最小值:13 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:30 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:15 ns

单位重量:4 g

供应商STD20NF20
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深圳市芯幂科技有限公司STD20NF20深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405+86-13267088774(微信同号)李昊skype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:lihao@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司STD20NF20华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD20NF20www.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城(深圳)科技有限公司STD20NF20T4深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司STD20NF20深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市辉华拓展电子有限公司STD20NF20深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市芯奕科技有限公司STD20NF20深圳市福田区华强北深纺大厦C座2楼K315818509871王志Email:741244823@qq.com询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司STD20NF20深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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STD20NF20连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道ST(意法半导体)ST(意法半导体)的LOGO907.42 Kbytes共15页STD20NF20的PDF下载地址
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STD20NF20STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Low charge STripFET2500+:¥5.76
5000+:¥5.54
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100+:¥6.78
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STD20NF20STMicroelectronicsFET - 单 STripFET?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Low charge STripFET2500+:¥5.76
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25000+:¥5.34991+:¥12.93
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Digi-Key 得捷电子
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Future(富昌)
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Mouser 贸泽电子
STD20NF20STMicroelectronicsMOSFET Low charge STripFET1:¥14.0572
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.3733
2,500:¥6.441
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Verical
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立创商城
STD20NF20ST(意法半导体)连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:125mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道1+:¥13.12
10+:¥12.78
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100+:¥10.08