制造商:STMicroelectronics
产品种类:射频(RF)双极晶体管
系列:STBV32
晶体管类型:Bipolar
技术:Si
晶体管极性:NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:400 V
发射极 - 基极电压 VEBO:9 V
集电极连续电流:1.5 A
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92AP
直流电流增益 hFE 最大值:20
高度:4.5 mm
长度:4.8 mm
类型:RF Bipolar Small Signal
宽度:3.8 mm
商标:STMicroelectronics
最大直流电集电极电流:1.5 A
Pd-功率耗散:1500 mW
产品类型:RF Bipolar Transistors
工厂包装数量:2000
子类别:Transistors