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ST9045C /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
ST9045C的规格信息
ST9045C的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:90 V

最大工作温度:+ 200 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:M243-3

工作频率:1.5 GHz

系列:ST9045C

类型:RF Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:130 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:3 V

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