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ST12N10D /MOS(场效应管)
ST12N10D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻114mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)96W(Tc)

类型N沟道

供应商ST12N10D
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现代芯城(深圳)科技有限公司ST12N10Dwww.nowchip.com0755-27381274
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董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司ST12N10D-VB深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市微碧半导体有限公司ST12N10D-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
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深圳市天卓伟业电子有限公司ST12N10D深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049
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深圳市坤融电子有限公司ST12N10D航都大厦10I0755-23990975
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芯莱德电子(香港)有限公司ST12N10D-VB深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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深圳市科思奇电子科技有限公司ST12N10D上步工业区501栋1109-11100755-83245050
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张小姐Email:szkesiqi@163.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司ST12N10D-VB深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳诚思涵科技有限公司ST12N10D深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市威雅利发展有限公司ST12N10D华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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深圳市金华微盛电子有限公司ST12N10D深圳市福田区中航路新亚洲2期N4A13113510157626
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