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SSVBC846BPDW1T1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS DUAL GEN XSTR
SSVBC846BPDW1T1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-363-6

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO:65 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V, 6 V

集电极—射极饱和电压:- 0.3 V, 0.25 V

最大直流电集电极电流:- 100 mA, 100 mA

增益带宽产品fT:100 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:BC846BPDW1

直流电流增益 hFE 最大值:475

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:100 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

Pd-功率耗散:250 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:6 mg

供应商SSVBC846BPDW1T1G
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深圳市芯幂科技有限公司SSVBC846BPDW1T1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市高捷半导体有限公司SSVBC846BPDW1T1G深圳市福田区航都大厦10层13380394549
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深圳市佳威星科技有限公司SSVBC846BPDW1T1G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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