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SSR1N60BTM-WS /MOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel
SSR1N60BTM-WS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:900 mA

Rds On-漏源导通电阻:11.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:4.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.39 mm

长度:6.73 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:27 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:21 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:13 ns

典型接通延迟时间:7 ns

零件号别名:SSR1N60BTM_WS

单位重量:15.800 mg

供应商SSR1N60BTM-WS
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SSR1N60BTM-WSON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
2,500:¥1.6724