制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Rds On-漏源导通电阻:4.8 Ohms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:100 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:24 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:26 ns

系列:SSP3N80

典型关闭延迟时间:46 ns

典型接通延迟时间:16 ns