制造商:Fairchild Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

Id-连续漏极电流:9 A

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :30 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

封装:Tube

商标:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:115 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:100 ns

系列:SSP10N60

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:185 ns

典型接通延迟时间:35 ns

单位重量:1.438 g