图像仅供参考,请参阅规格书
制造商:Fairchild Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
Id-连续漏极电流:9 A
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Rds On-漏源导通电阻:800 mOhms
晶体管极性:N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :30 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:156 W
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
封装:Tube
商标:Fairchild Semiconductor
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:115 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:100 ns
系列:SSP10N60
工厂包装数量:50
典型关闭延迟时间:185 ns
典型接通延迟时间:35 ns
单位重量:1.438 g