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SS8050-G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANSISTOR 1.5A 40V
SS8050-G的规格信息
SS8050-G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Comchip Technology

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

最大直流电集电极电流:1.5 A

增益带宽产品fT:100 MHz

最大工作温度:+ 150 C

直流电流增益 hFE 最大值:350

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Comchip Technology

直流集电极/Base Gain hfe Min:40

Pd-功率耗散:300 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

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SS8050-GComchip Technology双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANSISTOR 1.5A 40V1:¥1.7628
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500+:¥0.084771
1500+:¥0.080181
5000+:¥0.075591
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SS8050-GCJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:1.5A 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V50+:¥0.108486
500+:¥0.083496
1500+:¥0.078906
5000+:¥0.074316
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