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SRK7002LT1G /连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道
SRK7002LT1G的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)115mA

栅源极阈值电压2.5V @ 1mA

漏源导通电阻7.5Ω @ 500mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)225mW

类型N沟道

供应商SRK7002LT1G
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现代芯城(深圳)科技有限公司SRK7002LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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SRK7002LT1G连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道LRC(乐山无线电)LRC(乐山无线电)的LOGO344.79 Kbytes共5页SRK7002LT1G的PDF下载地址
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SRK7002LT1GLRC(乐山无线电)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 1mA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道20+:¥0.106518
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