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SQV120N06-4m7L_GE3 /MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
SQV120N06-4m7L_GE3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®

PackageTape & Reel (TR)

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs230 nC @ 10 V

Vgs (Max)±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8800 pF @ 25 V

FET Feature-

Power Dissipation (Max)250W (Tc)

Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)

Mounting TypeThrough Hole

Supplier Device PackageTO-262-3

Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供应商SQV120N06-4m7L_GE3
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SQV120N06-4m7L_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified1:¥24.3628
10:¥20.2044
100:¥16.5997
250:¥16.0573