通道类型N

最大连续漏极电流40 A

最大漏源电压100 V

最大漏源电阻值63 m0hms

最小栅阈值电压1.5V

最大栅源电压-20 V、+20 V

封装类型DPAK (TO-252)

安装类型表面贴装

引脚数目3

晶体管配置单

通道模式增强

类别功率 MOSFET

最大功率耗散136 W

最低工作温度-55 °C

高度2.33mm

每片芯片元件数目1

尺寸6.73 x 6.22 x 2.33mm

宽度6.22mm

系列SQ Rugged

汽车标准AEC-Q101

晶体管材料Si

典型栅极电荷@Vgs46 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds2703 pF @ 25 V

典型关断延迟时间27 ns

典型接通延迟时间11 ns

最高工作温度+175 °C

长度6.73mm

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs