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SQM85N15-19_GE3 /MOSFET 150V 85A 375W AEC-Q101 Qualified
SQM85N15-19_GE3的规格信息
SQM85N15-19_GE3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:150 V

Id-连续漏极电流:85 A

Rds On-漏源导通电阻:16 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:120 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.83 mm

长度:10.67 mm

系列:SQ

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.65 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:79 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:17 ns

单位重量:1.438 g

供应商SQM85N15-19_GE3
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深圳市坤融电子有限公司SQM85N15-19-GE3航都大厦10I0755-23990975
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深圳市芯幂科技有限公司SQM85N15-19_GE3深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市骏凯诚科技有限公司SQM85N15-19_GE3深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQM85N15-19_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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Arrow(艾睿)		SQM85N15-19-GE3VishayFET - 单 TrenchFET® 分立半导体产品800+:￥25.21+:￥20.45
10+:￥17.58
25+:￥15.751+:￥26.83
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Digi-Key 得捷电子		SQM85N15-19_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 85A TO263$3.15000
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Mouser 贸泽电子		SQM85N15-19_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 150V 85A 375W AEC-Q101 Qualified1:¥25.8996
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