SQM50028EM_GE3的供应商，SQM50028EM_GE3规格参数，SQM50028EM

SQM50028EM_GE3 /MOSFET 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified

SQM50028EM_GE3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-7

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:123 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:375 W

配置:Single

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Tube

系列:SQ

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:800

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:105 ns

典型接通延迟时间:48 ns

单位重量:2.200 g

SQM50028EM_GE3

SQM50028EM_GE3的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区航都大厦10B	13352985419 13352985419	木易	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区华强北上步工业区501栋518	0755-82815082 13049883113	赵小姐	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市芯幂科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区华强北路1019号A座13楼	0755-82573552 17302670049	陈敏	询价
集好芯城	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区汉国中心55楼	0755-82790891 18126117392	陈玲玲	询价
集好芯城	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区上步工业区501栋1103	0755-84875764 ”13725596657“17503034873	曾先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	SQM50028EM_GE3	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

SQM50028EM_GE3及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
SQM50028EM_GE3	MOSFET 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified	Vishay / Siliconix	167.68 Kbytes	共7页	无
SQM50028EM_GE3	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7	Vishay Siliconix	222.76 Kbytes	共9页	无
SQM50028EM_GE3	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道	VISHAY(威世)	165.96 Kbytes	共7页	无

SQM50028EM_GE3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Mouser 贸泽电子	SQM50028EM_GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 60V Vds 120A Id AEC-Q101 Qualified	1:¥23.7413 10:¥19.6733 100:¥16.2155 250:¥15.6731
立创商城	SQM50028EM_GE3	VISHAY(威世)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.5V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥17.71 10+:￥17.26 30+:￥16.96 100+:￥16.65

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