单位包：800

最小起订量：800

FET特点：Logic Level Gate

封装：Tape & Reel (TR)

安装类型：Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：200A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：2.5V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：40V

标准包装：800

供应商设备封装：TO-263-7

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：1.1 mOhm @ 30A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：375W

封装/外壳：TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

输入电容（Ciss ） @ VDS：20655pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：413nC @ 10V

RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant

安装风格：SMD/SMT

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

连续漏极电流：200 A

正向跨导 - 闵：219 S

RDS（ON）：1.1 mOhms

功率耗散：375 W

下降时间：189 ns

商品名：TrenchFET

典型关闭延迟时间：665 ns

上升时间：18 ns

漏源击穿电压：40 V

RoHS：RoHS Compliant By Exemption

栅极电荷Qg：413 nC

Continuous Drain Current Id：:200A

Drain Source Voltage Vds：:40V

On Resistance Rds(on)：:0.0008ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V

Threshold Voltage Vgs：:2V

功耗：:375W

Operating Temperature Min：:-55°C

Operating Temperature Max：:175°C

Transistor Case Style：:TO-263

No. of Pins：:7

MSL：:MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：0.0001

Tariff No.：85412900