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SQ4949EY-T1_GE3 /MOSFET Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
SQ4949EY-T1_GE3的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:7.5 A

Rds On-漏源导通电阻:28 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:30 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:3.3 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:Reel

系列:SQ

晶体管类型:2 P-Channel

商标:Vishay / Siliconix

下降时间:8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:9 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:28 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:74 mg

供应商SQ4949EY-T1_GE3
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现代芯城（深圳）科技有限公司SQ4949EY-T1-GE3www.nowchip.com0755-27381274
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深圳市天卓伟业电子有限公司SQ4949EY-T1_GE3深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳诚思涵科技有限公司SQ4949EY-T1-GE3深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SQ4949EY-T1_GE3深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SQ4949EY-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC$1.72000
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		SQ4949EY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified1:¥12.6786
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