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SPW11N80C3 /MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
SPW11N80C3的规格信息
SPW11N80C3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-247-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:11 A

Rds On-漏源导通电阻:390 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:85 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

高度:21.1 mm

长度:16.13 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.21 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:240

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:72 ns

典型接通延迟时间:25 ns

零件号别名:SP000013703 SPW11N80C3FKSA1 SPW11N8C3XK

单位重量:38 g

供应商SPW11N80C3
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SPW11N80C3的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
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SPW11N80C3Infineon Technologies AG800V,11A,N channel Power MOSFET1 : $1.86
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SPW11N80C3Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A(Tc) 漏源电压(Vdss):800V 栅源极阈值电压:3.9V @ 680uA 漏源导通电阻:450mΩ @ 7.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W(Tc) 类型:N沟道1+:¥15.72
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