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SPD50N03S2L-06G / MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2
SPD50N03S2L-06G的规格信息
SPD50N03S2L-06G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MO b28 SFET

RoHS:

商标:Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:50 A

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Rds On-漏源导通电阻:6.4 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:136 W

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:DPAK-3

封装:Reel

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:24 ns

最小工作温度:- 55 C

上升时间:19 ns

系列:SPD50N03

工厂包装数量:2500

商标名:OptiMOS

典型关闭延迟时间:35 ns

典型接通延迟时间:8 ns

零件号别名:SP000443924 SPD50N03S2L06GBTMA1

供应商SPD50N03S2L-06G
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SPD50N03S2L-06GN-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO755.46 Kbytes共9页SPD50N03S2L-06G的PDF下载地址
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