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SPD18P06PGBTMA1 /MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
SPD18P06PGBTMA1的规格信息
SPD18P06PGBTMA1的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:18.6 A

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:33 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:XPD18P06

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:4 S

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24.5 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:G SP000443926 SPD18P06P SPD18P6PGXT

单位重量:4 g

供应商SPD18P06PGBTMA1
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