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SPD08P06PGBTMA1 /MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
SPD08P06PGBTMA1的规格信息
SPD08P06PGBTMA1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:8.83 A

Rds On-漏源导通电阻:230 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:- 13 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:42 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:XPD08P06

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:2.5 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:46 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:16 ns

零件号别名:G SP000450534 SPD08P06P SPD8P6PGXT

单位重量:4 g

供应商SPD08P06PGBTMA1
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Digi-Key 得捷电子		SPD08P06PGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3$0.91000
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