制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:55 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

商标名:SIPMOS

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:SIPMOS

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:73 S

下降时间:32 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:53 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:54 ns

典型接通延迟时间:22 ns

零件号别名:SP000084808 SPB80N06S08ATMA1 SPB8N6S8XT

单位重量:4 g