标准包装：2,500
类别：分立半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
包装：带卷（TR）
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：11.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：600pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N