制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:650 V

Id-连续漏极电流:6 A

Rds On-漏源导通电阻:594 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:20 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:62.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:CoolMOS CFDA

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:40 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:IPD65R660CFDA IPD65R660CFDAATMA1 SP000928260

单位重量:4 g