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SNSS20101JT1G /ON Semiconductor/分立半导体产品
SNSS20101JT1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):20V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):220mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:225mW

频率 - 跃迁:350MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-89,SOT-490

供应商器件封装:SC-89-3

供应商SNSS20101JT1G
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