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SNN1000L10D /连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.9V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道
SNN1000L10D的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)14.6A(Tc)

栅源极阈值电压2.9V @ 250uA

漏源导通电阻100mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)

类型N沟道

供应商SNN1000L10D
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SNN1000L10DKODENSHI AUK(光电子)连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.9V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.1816
10+:¥0.9024
30+:¥0.8511
100+:¥0.7999
500+:¥0.7771
1000+:¥0.7658