驱动配置：低压侧

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 电源：4.75 V ~ 5.25 V

逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：500mA，500mA

输入类型：反相

上升/下降时间（典型值）：5ns，7ns

工作温度：0°C ~ 70°C（TA）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs