FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：45pF @ 25V

功率耗散（最大值）：360mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-SOT23-3

封装/外壳：TO-236-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：25V

通道类型：N

最大连续漏极电流：200 mA

最大漏源电压：60 V

最大漏源电阻值：7.5 0hms

最大栅阈值电压：1.8V

最小栅阈值电压：0.8V

最大栅源电压：-20 V、+20 V

封装类型：SOT-23

引脚数目：3

晶体管配置：单

通道模式：增强

类别：小信号

最大功率耗散：360 mW

高度：1mm

每片芯片元件数目：1

尺寸：2.9 x 1.3 x 1mm

宽度：1.3mm

系列：SIPMOS

晶体管材料：Si

典型栅极电荷@Vgs：1 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：34 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：5.3 ns

典型接通延迟时间：2.4 ns

最低工作温度：-55 °C

最高工作温度：+150 °C

长度：2.9mm

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs