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SN7002N E6327 /FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品
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制造厂商:Infineon

描述:FET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品

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SN7002NH6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.8V @ 26uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO327.86 Kbytes共9页SN7002NH6327的PDF下载地址
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SN7002N L6433InfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-CH 60V .2A SMALL SIGNAL价格未公开
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SN7002NH6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):200mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.8V @ 26uA 漏源导通电阻:5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):360mW 类型:N沟道5+:¥0.414557
50+:¥0.313996
150+:¥0.295525
500+:¥0.24935
2500+:¥0.241961
5000+:¥0.23831
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SN7002W H6327Infineon(英飞凌)预售晶体管1+:¥0.532167
200+:¥0.205942
500+:¥0.198705
1000+:¥0.195128
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SN7002W H6433Infineon(英飞凌)预售晶体管1+:¥0.532167
200+:¥0.205942
500+:¥0.198705
1000+:¥0.195128