SMF8N65
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道
SMF8N65的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1.3Ω @ 4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)51W
类型N沟道
SMF8N65
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SMF8N65 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 867.57 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SMF8N65 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):51W 类型:N沟道 | 1+:¥1.751 10+:¥1.3287 30+:¥1.2511 100+:¥1.1735 500+:¥1.1391 1000+:¥1.122
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