SMF4N60
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道
SMF4N60的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)4A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.5Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)33W
类型N沟道
SMF4N60
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SMF4N60 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 948.91 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SMF4N60 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):33W 类型:N沟道 | 1+:¥1.1507 10+:¥0.8634 30+:¥0.8106 100+:¥0.7578 500+:¥0.7343 1000+:¥0.7227
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