SMF2N60
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道
SMF2N60的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)23W
类型N沟道
SMF2N60
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SMF2N60 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 898.61 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | SMF2N60 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 | 1+:¥0.8746 10+:¥0.6447 30+:¥0.6025 100+:¥0.5602 500+:¥0.5415 1000+:¥0.5322
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