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SMF2N60 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道
SMF2N60的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻4.5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)23W

类型N沟道

供应商SMF2N60
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SMF2N60连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道华科HUAKE华科HUAKE的LOGO898.61 Kbytes共5页SMF2N60的PDF下载地址
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SMF2N60华科HUAKE连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道1+:¥0.8746
10+:¥0.6447
30+:¥0.6025
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