SMF14N65
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W 类型：N沟道
SMF14N65的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）14A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻750mΩ @7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）54W
类型N沟道
SMF14N65
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| SMF14N65 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W 类型：N沟道 | 华科HUAKE |  | 467.34 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SMF14N65的全球分销商及价格
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立创商城 | SMF14N65 | 华科HUAKE | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W 类型：N沟道 | 1+:￥2.91
10+:￥2.14
30+:￥2
100+:￥1.86
500+:￥1.8
1000+:￥1.76
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