SMF10N65
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道
SMF10N65的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W
类型N沟道
SMF10N65
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SMF10N65 | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 | 华科HUAKE |  | 901.12 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
SMF10N65的全球分销商及价格
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 立创商城 | SMF10N65 | 华科HUAKE | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 | 1+:¥1.93 10+:¥1.43 30+:¥1.34 100+:¥1.24 500+:¥1.2 1000+:¥1.18
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