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SMD2N65 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道

SMD2N65的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）650V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）2A

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 1A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）44W

类型N沟道

SMD2N65

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SMD2N65	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道	华科HUAKE		892.45 Kbytes	共5页		无

SMD2N65的全球分销商及价格

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立创商城	SMD2N65	华科HUAKE	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道	5+:￥0.7098 50+:￥0.5099 150+:￥0.4732 500+:￥0.4364 2500+:￥0.4201 5000+:￥0.412

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