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SM8S36ATHE3/I /TVS 二极管/ESD 抑制器
SM8S36ATHE3/I的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:SM

资格:AEC-Q101

单位重量:2.605 g

商标名:PAR

类型:齐纳

单向通道:1

电压-击穿(最小值):40V

电压-箝位(最大值)@Ipp:58.1V

电流-峰值脉冲(10/1000µs):114A

功率-峰值脉冲:6600W(6.6kW)

电源线路保护:

应用:汽车级

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:DO-218AC

反向工作电压VRWM:36V

最大峰值脉冲功率Ppp:6600W

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商SM8S36ATHE3/I
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深圳市威雅利发展有限公司SM8S36ATHE3/I华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市智连鑫科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
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肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳和润天下电子科技有限公司SM8S36ATHE3/I深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市星宇佳科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
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深圳市斌腾达科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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集好芯城SM8S36ATHE3/I深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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13352985419,19076157484
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深圳市高捷芯城科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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深圳市瑞浩芯科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区上步工业区501栋11030755-84875764
”13725596657“17503034873
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深圳市拓亿芯电子有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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深圳市骏凯诚科技有限公司SM8S36ATHE3/I深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋411室0755-82731802
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SM8S36ATHE3/I反向关断电压(典型值):36V 击穿电压(最小值):40V 峰值脉冲电流(10/1000us):114A 极性:Unidirectional 箝位电压:58.1VVISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO102.16 Kbytes共5页SM8S36ATHE3/I的PDF下载地址
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SM8S36ATHE3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionTVS DIODE 36V 58.1V DO218AC$2.75000
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Mouser 贸泽电子
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10:¥17.4472
100:¥13.5261
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