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SM4606PRL /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A,7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V;33mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
SM4606PRL的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.5A,7A

栅源极阈值电压3V @ 250uA,2.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 6A,10V;33mΩ @ 6.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道和P沟道

供应商SM4606PRL
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芯莱德电子(香港)有限公司SM4606PRL深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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SM4606PRL连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A,7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V;33mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道SPS(美国源芯)SPS(美国源芯)的LOGO24.69 Mbytes共9页SM4606PRL的PDF下载地址
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SM4606PRLSPS(美国源芯)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A,7A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA,2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 6A,10V;33mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道5+:¥0.752015
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