SM4435PRL
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
SM4435PRL的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）-30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）9.1A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 9.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W
类型P沟道
SM4435PRL
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| SM4435PRL | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道 | SPS(美国源芯) |  | 2.64 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
SM4435PRL的全球分销商及价格
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立创商城 | SM4435PRL | SPS(美国源芯) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 9.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道 | 1+:￥1.0507
10+:￥0.7908
30+:￥0.743
100+:￥0.6953
500+:￥0.6741
1000+:￥0.6636
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