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SM3119NAUC-TRG /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
SM3119NAUC-TRG的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）50A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻10.5mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）50W(Tc)

类型N沟道

供应商SM3119NAUC-TRG
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