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SM1A16PSUC-TRG /连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:205mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道
SM1A16PSUC-TRG的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)13A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻205mΩ @ 7.8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型P沟道

供应商SM1A16PSUC-TRG
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SM1A16PSUC-TRGSinopower(大中)连续漏极电流(Id)(25°C 时):13A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:205mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道1+:¥2.11
10+:¥1.58
30+:¥1.48
100+:¥1.38
500+:¥1.34
1000+:¥1.32