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SL8205S /连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道(共漏)
SL8205S的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)5A

栅源极阈值电压1.2V @ 250uA

漏源导通电阻27mΩ @ 5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)830mW

类型双N沟道(共漏)

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SL8205S连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道(共漏)Slkor(萨科微)Slkor(萨科微)的LOGO408.30 Kbytes共4页SL8205S的PDF下载地址
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SL8205SSlkor(萨科微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):830mW 类型:双N沟道(共漏)20+:¥0.196885
200+:¥0.151903
600+:¥0.143641
2000+:¥0.135379
10000+:¥0.131707
20000+:¥0.129893