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SKST065N08N /连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):164W(Tc) 类型:N沟道
SKST065N08N的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)85V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻6.5mΩ @ 50A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)164W(Tc)

类型N沟道

供应商SKST065N08N
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SKST065N08N连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):164W(Tc) 类型:N沟道CRMICRO(华润微)CRMICRO(华润微)的LOGO599.44 Kbytes共10页SKST065N08N的PDF下载地址
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SKST065N08NCRMICRO(华润微)连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):85V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):164W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.56
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30+:¥1.82
100+:¥1.7
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1000+:¥1.62