SKD503T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道
SKD503T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)120A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻4.5mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)227W(Tc)
类型N沟道
SKD503T
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| SKD503T | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道 | CRMICRO(华润微) |  | 569.25 Kbytes | 共10页 |  | 无 |
SKD503T的全球分销商及价格
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 立创商城 | SKD503T | CRMICRO(华润微) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥4.12 10+:¥2.97 30+:¥2.76 100+:¥2.55 500+:¥2.46 1000+:¥2.42
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