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SK302P /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道
SK302P的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.4A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻120mΩ @ 3A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型P沟道

供应商SK302P
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SK302PSHIKUES(时科)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.4A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:120mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:P沟道10+:¥0.293525
100+:¥0.215258
300+:¥0.200883
1000+:¥0.186508
5000+:¥0.180119
10000+:¥0.176962