SK2302AAT
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道
SK2302AAT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.1A
栅源极阈值电压1.2V @ 50uA
漏源导通电阻60mΩ @ 2A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)350mW
类型N沟道
SK2302AAT
SK2302AAT及相关型号的PDF资料
型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
SK2302AAT | SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS | SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics] | ![SKTECHNOLGY[SHIKUES Electronics]的LOGO](/PdfSupLogo/1005SKTECHNOLGY.GIF) | 592.07 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
SK2302AAT的全球分销商及价格
销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 立创商城 | SK2302AAT | SHIKUES(时科) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.1A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 50uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 2A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 | 20+:¥0.164949 200+:¥0.120967 600+:¥0.112888 2000+:¥0.10481 10000+:¥0.10122 20000+:¥0.099445
|